烙铁头为电烙铁和焊台的的配套产品，是属于焊接工具里的易耗品，常常我们所称呼的烙铁头、烙铁咀、焊咀实为同一种东西，每个电烙铁厂家根据烙铁头的特点配有不同型号嘴型的烙铁头（烙铁咀、焊咀），但基本形状为尖形、马蹄形、扁咀形、刀口形等，并且在使用中各有其特点。每种烙铁头（烙铁咀、焊咀）的头部基本相同，区别在于烙铁头（烙铁咀、焊咀）身体部分尺寸，以便和自己的电烙铁、电焊台配套。一般电烙铁、电焊台品牌不同配套的烙铁头（烙铁咀、焊咀）形状也不同，基本嘴型分类特点如下： I 型烙铁头(尖端幼细)。 应用范围： 适合精细之焊接，或焊接空间狭小之情况，也可以修正焊接芯片时产生之锡桥。 B型烙铁头（圆锥形）特点： B型烙铁头无方向性，整个烙铁头前端均可进行焊接。 应用范围： 适合一般焊接，无论大小之焊点，也可使用B型烙铁头 D型烙铁头（一字批咀形）特点：用批咀部份进行焊接。应用范围：适合需要多锡量之焊接，例如焊接面积大、粗端子、焊垫大的焊接环境。 C型烙铁头（斜切圆柱形）特点： 用烙铁头前端斜面部份进行焊接，适合需要多锡量之焊接 。应用范围：Ｃ型烙铁头应用范围与D型烙铁头相似，例如焊接面积大，粗端子，焊垫大的情况适用。 0.5C, 1C、 1.5CF 等烙铁头非常精细，适用于焊接细小元件，或修正表面焊接时产生之锡桥，锡柱等。如果焊接只需少量焊锡的话，使用只在斜面有镀锡的CF 型烙铁头比较适合。2C, 3C 型烙铁头，适合焊接电阻，二极管之类的元件，齿距较大之SOP 及QFP 也可以使用。4C, 适用于粗大之端子，电路板上之接地。电源部份等需要较大热量之焊接场合。 K型烙铁头(刀口形) 特点：使用刀形部份焊接，竖立式或拉焊式焊接均可，属于多用途烙铁头。 应用范围： 适用于SOJ, PLCC, SOP, QFP，电源,接地部份元件，修正锡桥，连接器等焊接。 普通外热式电烙铁（30W、40W、60W……）由于使用普遍价格便宜，市面上的30W、40W、60W……烙铁头（烙铁咀、焊咀）都可以使用。另外就是 936焊台用的900M系列烙铁头（烙铁咀、焊咀）。虽然936焊台品牌很多，但都是由白光936焊台演变而来。市面上所有的936焊台和900M系列烙铁头都可以配套使用。

一、IC的制作： IC的制作分为三大块：1、IC的设计。2、晶圆的制造。3、封装 大家知道，随着科学技术的发展和不断提高，我们现在卖的芯片在我们的生活中无处不在，和我们的生活息息相关。举个例子来说吧，大到宇宙飞船，人造卫星，小到我们家里的电动玩具，里面都有芯片的存在。这就体现了芯片对人类生活的重要性。 一个产品，一般都要经过如下几个过程，从设计开发到制造，最后到用户手上。我们处在IC这个行业中，也是一样的。虽然我们现在仅仅是在销售这个环节上，但我看来，我们应该对整个IC的产生的过程都要有所了解。 IC这个制造过程我们可以把它分为上，中，下三游。上游是IC设计，（包括逻辑设计，电路设计和图形设计）；中游是光刻（或光造）和晶圆的制造；下游是封装和成品测试；其中中游这一块即晶圆的制造是技术工艺最复杂，投资最大的地方，因此很多设计厂商都会拿到专门的晶圆制造厂去制造芯片。 在台湾有2个较大的晶圆制造厂（晶圆代工厂），一个是台积电（台湾积体电路制造股份有限公司），另一个是台联电。其中台积电是世界上最大的晶圆制造厂。在中国大陆也有一个很大的晶圆制造厂，即中芯国际，计划在北京也要投资一个12英寸的晶圆制造厂，这表示了我国的晶圆制造工艺水平正在一步步走向成熟。 IC设计与制版 1、IC的设计：设计分为三个阶段：逻辑设计，电路设计，图形设计 （1）功能描述 要完成一个完整的集成电路芯片，首先要对这一个芯片做完整的功能描述。例如现在我们要设计一个全自动雨阳蓬，当下雨时，或者有异物落在雨阳蓬上时，它能自动从外收回关紧门窗，防止外界物体弄脏房间，那么就根据这个功能的描述，来设计我们的电路图，并让它达到最佳的性能（因为一般功能都可以达到，但是有时候个别参数不一样的话，性能可能就达不到最佳了）。 （2）逻辑设计（以二进制为原理的数字电路） 逻辑设计之目的是用已有的基本逻辑单元，将描述电路功能的数学函数进一步的具体化，使所有的功能描述皆能以实际可执行的电路模块来完成，并要经过检验，确定所设计的逻辑没有问题。 （3）电路模拟分析 逻辑设计完成后，接着要将每一个逻辑单元，转化成实际的电路组件符号（就是电阻，电容之类的），再将这些组件符号进行组合，形成真正的电路，再进行一次检测（这时会有一个检测结果）。 （4）电路布局 所谓电路布局，实际上就是做电路分析及半导体制程的中间桥梁，具个例子，就是一个房子它分厨房，卫生间，卧室等，设计师需要将这些“组件”进行布局，使房子的功能达到最佳的效果，比如具有通风好，光线好，凉台多用化之类的性能。当我们做完电路布局后，还要利用电脑辅助设计［CAD］程序，检测电路布局是否有缺失，检测的结果和先前由所验算的结果是否一致（步骤3的结果），如果不一致，就有可能是把厨房做到卫生间去了，则需要再次进行电路模拟分析，再到电路布局。当结果正确后，便可将定案之电路布局送去制作光罩（就是下面所谈到了光学掩模板），设计便完成了。 （5）制版 首先，制版（光学掩模板）的目的是为了利用光刻机把电脑上的图案通过曝光技术印到WAFER的表面，制版的原理就跟我们小时候玩的一个小试验相似——-放大镜利用太阳能使火柴棒燃烧，天上的太阳就相当于我们的光刻机，手中的放大镜就相当于我们的光学掩模板，下面的火柴相当于WAFER，不同点在于放大镜是利用太阳能使火柴燃烧，光学掩模板是利用光刻机使WAFER表面形成图案，相信这样比喻大家应该明白这三者是怎样的关系了。光学掩模板的成本也很高，主要成分是一种感光乳剂，是一种化学物质，光学掩模板也叫铬板，之所以主要成分选它，除了因为它具有感光特性以外，它还可以减少对晶圆的损坏，因为成本较高，一般都是几个厂家一起制一块试验板，测试成功了才会制正式板，接着才会正式投入使用。 2、WaferProcess晶圆制造 大家都知道硅是一种半导体，它可以通电也可以绝缘，在芯片的生产中大多数的人选择用 桂来做为原料，为什么呢?因为硅的价格便宜，而其它金属的价格要贵。那么硅为什么会便宜呢？ 是因为硅是世界上第二丰富的元素，分布广，它占整个地壳的四分之一，连我们平时随处可见的 沙子里面都含有硅。 硅虽然很多，含有的杂质也多，硅矿石也很粗糙，要经过提炼才能成为单晶硅。那晶园制造厂怎么来提炼单晶硅呢? 先要将硅矿提炼成多晶硅，再将多晶硅放入石英炉里。同时用加热器将石英炉加热，让多晶硅慢慢的融化，等到多晶硅充分融化后便在石英炉中插入一根石英棒慢慢的将纯净的单晶硅从石英炉中拉出来，让其冷却。这个过程就有点象我们小的时候吃转转糖时会看到的情形。首先将黄糖放入锅中加热，糖就会慢慢的软化成为很有粘性的物质，再用跟棍子插入锅中将糖慢慢的拎出来，冷却后从棍端到锅中间就会形成一个糖柱。那么单晶硅被拉出来后也就形成了个圆柱状。但因为惧怕灰尘的颗粒导致生产的芯片失去效力。整个制作过程是需要在洁净室完成的。而被拉出来的单晶硅还是不规则的还需要打磨。打磨后还要用金刚石将它切割成一定的厚度后，这之后就形成了WAFER。 那么晶圆为什么会得到这么个名字呢，其实很简单就是因为经过切割后它形状象个圆形，故被叫做晶原或是硅晶圆片 谈到晶圆，有两个因素是必需要提及的，一个是线宽:现在在芯片的制作中线宽小到了微米，线宽越小，能连接的元器件就越多，因此实现的功能就越强大。 晶圆的直径:晶圆的直径越大，同一晶圆上可以制成的IC就越多，成本就可以降低。现在有生产4英寸的晶圆，6英寸的晶圆，8英寸的晶圆和12英寸的晶圆。目前在中国能生产12英寸的晶圆的厂家在台湾，一个是台积电（台湾积体电路制造股份有限公司），另一个是台联电。大陆中兴国际目前也具备生产12英寸的晶圆的能力，正积极准备在北京建厂生产。虽然晶圆的直径越大，同一晶圆上可以制成的IC就越多，但是同时对材料技术和生产技术的要求更高。与业务相关的地方: A、生产晶圆的厂家可以不是原设计的厂家 如果客户说他收到的片子上显示的厂家和这个被解剖开的晶圆上的厂家不是一致的，我们也可以跟他解释说片子外观上的是封装厂（既原设计厂）的代码，而这个晶圆上的是晶圆生产厂的代码，生产晶圆的厂家可以不是原设计的厂家，因此这不能证明任何问题。如果客户扯到片子的型号标识不一样，我们也可以告诉客户片子上的型号标识是封装厂（既原设计厂）注明的，而晶圆上的可以是晶圆生产厂的版权专利标识，因此这个不一样也是很正常的。并不能说明我们发给客户的货不是原厂出的。 B、生产晶圆的厂家也未必是封装晶圆的厂家 如果客户说这个晶原上的D/C和我们发给客户的D/C不一致，我们可以解释:片子的外观上所看到的批号是封装时的D/C，而这个晶圆上所看到的批号则是晶圆生产时的批号，生产了晶圆后过段时间拿去封装，是完全合乎情理的。这并不能说明什么。 IC的制造流程： 晶圆：晶圆就是单晶硅圆片，由普通的硅色拉制提炼而成，是最常见的半导体材料。按其直径分为４英寸、６英寸和８英寸，近年发展了１２英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可安排的集成电路就越多，可降低成本，但要求的材料技术和生产技术更高。 1)表面清洗： 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之，在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2)初次氧化 有热氧化法生成SiO2缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术—–干法氧化&湿法氧化 3)CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。 （1）、常压CVD(NormalPressureCVD)（2）、低压CVD(LowPressureCVD) 3）、热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)（4）、电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD) （5）、MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy) （6）、外延生长法(LPE) 4)涂敷光刻胶 光刻制造过程中，往往需采用20-30道光刻工序，现在技术主要采有紫外线(包括远紫外线)为光源的光刻技术。光刻工序包括翻版图形掩膜制造，硅基片表面光刻胶的涂敷、预烘、曝光、显影、后烘、腐蚀、以及光刻胶去除等工序。 (1)光刻胶的涂敷 (2)预烘(prebake) (3)曝光 (4)显影 (5)后烘(postbake) (6)腐蚀(etching)–1湿法腐蚀&2干法腐蚀3同步辐射(SOR：synchrotronorbitalradiation)X线光刻技术 (7)光刻胶的去除 5)将氮化硅去除 6)离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱 7)去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 […]